0 0 0
  8. SIHH21N65E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH21N65E-T1-GE3

 
SIHH21N65E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778654
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,8А; Idm: 53А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
545.52 грн
3+
389.20 грн
8+
367.67 грн
500+
363.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
12,8А(1633313)
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
99нC(1479393)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
53А(1810500)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH21N65E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778654
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,8А; Idm: 53А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
545.52 грн
3+
389.20 грн
8+
367.67 грн
500+
363.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
12,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
99нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
53А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g