0 0 0
  8. SIHH21N65EF-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH21N65EF-T1-GE3

 
SIHH21N65EF-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778545
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,5А; Idm: 53А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
558.78 грн
3+
401.38 грн
7+
379.34 грн
500+
372.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
12,5А(1441293)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
102нC(1700731)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
53А(1810500)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH21N65EF-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778545
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,5А; Idm: 53А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
558.78 грн
3+
401.38 грн
7+
379.34 грн
500+
372.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
12,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
102нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
53А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g