0 0 0
  8. SIHH24N65E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH24N65E-T1-GE3

 
SIHH24N65E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778632
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 58А; 202Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
626.07 грн
3+
446.62 грн
7+
421.90 грн
500+
417.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
202Вт(1942535)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
116нC(1609972)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
58А(1942279)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH24N65E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778632
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 58А; 202Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
626.07 грн
3+
446.62 грн
7+
421.90 грн
500+
417.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
202Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
116нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
58А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g