0 0 0
  8. SIHJ10N60E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHJ10N60E-T1-GE3

 
SIHJ10N60E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077405
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
216.43 грн
5+
193.61 грн
7+
149.53 грн
19+
140.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
313мОм(1790169)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
89Вт(1708594)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
50нC(1479381)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,6 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHJ10N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077405
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
216.43 грн
5+
193.61 грн
7+
149.53 грн
19+
140.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
313мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
89Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
50нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,6 g