0 0 0
  8. SIHJ6N65E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHJ6N65E-T1-GE3

 
SIHJ6N65E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778590
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 74Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
155.73 грн
5+
140.63 грн
9+
112.03 грн
25+
105.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
3,6А(1441602)
Сопротивление в открытом состоянии
868мОм(1960017)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
74Вт(1708592)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHJ6N65E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778590
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 74Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
155.73 грн
5+
140.63 грн
9+
112.03 грн
25+
105.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
3,6А
Сопротивление в открытом состоянии
868мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
74Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
32нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g