0 0 0
  8. SIHJ7N65E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHJ7N65E-T1-GE3

 
SIHJ7N65E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778371
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 17А; 96Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
187.51 грн
5+
168.44 грн
8+
134.27 грн
21+
127.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
598мОм(1960018)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
96Вт(1740786)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
44нC(1479001)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
17А(1811009)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHJ7N65E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778371
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 17А; 96Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
187.51 грн
5+
168.44 грн
8+
134.27 грн
21+
127.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
598мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
44нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
17А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g