0 0 0
  8. SIHK045N60E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHK045N60E-T1-GE3

 
SIHK045N60E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847010
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 48А; Idm: 138А; 278Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
551.10 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
48А(1441568)
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм(1625136)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
278Вт(1741771)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
98нC(1632637)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
138А(1829678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHK045N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847010
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 48А; Idm: 138А; 278Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
551.10 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
48А
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
278Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
98нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
138А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g