0 0 0
  8. SIHK045N60EF-T1GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHK045N60EF-T1GE3

 
SIHK045N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 778340
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 133А; 278Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
960.95 грн
2+
694.15 грн
4+
656.37 грн
5+
655.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1012(1960188)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
278Вт(1741771)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
105нC(1633312)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
133А(1936812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHK045N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 778340
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 133А; 278Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
960.95 грн
2+
694.15 грн
4+
656.37 грн
5+
655.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1012
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
278Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
105нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
133А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g