0 0 0
  8. SIHK055N60EF-T1GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHK055N60EF-T1GE3

 
SIHK055N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 778350
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
753.32 грн
2+
548.52 грн
5+
547.72 грн
6+
518.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1012(1960188)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
26А(1441513)
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм(1479055)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
236Вт(1775246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
90нC(1479429)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
110А(1758590)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHK055N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 778350
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
753.32 грн
2+
548.52 грн
5+
547.72 грн
6+
518.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1012
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
26А
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
236Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
90нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
110А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g