0 0 0
  8. SIHK075N60EF-T1GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHK075N60EF-T1GE3

 
SIHK075N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 778547
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
638.27 грн
3+
458.04 грн
6+
432.86 грн
500+
425.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1012(1960188)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
71мОм(1702171)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
192Вт(1740762)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
72нC(1479338)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
97А(1950929)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHK075N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 778547
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
638.27 грн
3+
458.04 грн
6+
432.86 грн
500+
425.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1012
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
71мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
192Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
72нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
97А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g