0 0 0
  8. SIHK125N60EF-T1GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHK125N60EF-T1GE3

 
SIHK125N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 847111
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
300.95 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
132Вт(1520845)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
54А(1742463)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHK125N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 847111
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
300.95 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
132Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
45нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
54А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g