0 0 0
  8. SIHL620S-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHL620S-GE3

 
SIHL620S-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778625
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 21А; 50Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.10 грн
5+
65.95 грн
19+
52.44 грн
52+
50.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
3,3А(1492298)
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16нC(1479019)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
21А(1789230)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHL620S-GE3
VISHAY
Артикул: 778625
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 21А; 50Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.10 грн
5+
65.95 грн
19+
52.44 грн
52+
50.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
3,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
21А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g