0 0 0
  8. SIHL630STRL-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHL630STRL-GE3

 
SIHL630STRL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778606
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
57.84 грн
22+
46.08 грн
59+
43.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
5,7А(1441269)
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
74Вт(1708592)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHL630STRL-GE3
VISHAY
Артикул: 778606
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
57.84 грн
22+
46.08 грн
59+
43.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
5,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
74Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
40нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g