0 0 0
  8. SIHL640STRL-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHL640STRL-GE3

 
SIHL640STRL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778594
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
127.12 грн
5+
113.62 грн
11+
91.37 грн
30+
85.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,27Ом(1596293)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
66нC(1512593)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
68А(1785979)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHL640STRL-GE3
VISHAY
Артикул: 778594
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
127.12 грн
5+
113.62 грн
11+
91.37 грн
30+
85.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,27Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
66нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
68А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g