0 0 0
  8. SIHP11N80E-GE3

Транзисторы с каналом N THT SIHP11N80E-GE3

 
SIHP11N80E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780466
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
280.49 грн
5+
200.01 грн
14+
189.65 грн
500+
187.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
440мОм(1694859)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
179Вт(1741798)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
88нC(1479485)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHP11N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 780466
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
280.49 грн
5+
200.01 грн
14+
189.65 грн
500+
187.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
440мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
179Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
88нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g