0 0 0
  8. SIHP33N60EF-GE3

Транзисторы с каналом N THT SIHP33N60EF-GE3

 
SIHP33N60EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780637
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
610.38 грн
3+
435.87 грн
7+
411.97 грн
500+
407.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
98мОм(1479060)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
278Вт(1741771)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
155нC(1479498)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHP33N60EF-GE3
VISHAY
Артикул: 780637
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
610.38 грн
3+
435.87 грн
7+
411.97 грн
500+
407.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
98мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
278Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
155нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g