0 0 0
  8. SIHU6N62E-GE3

Транзисторы с каналом N THT SIHU6N62E-GE3

 
SIHU6N62E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780551
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; IPAK,TO251
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
91.40 грн
5+
82.66 грн
16+
65.17 грн
42+
61.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005) TO251(1492057)
Напряжение сток-исток
620В(1609987)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
78Вт(1708589)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHU6N62E-GE3
VISHAY
Артикул: 780551
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; IPAK,TO251
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
91.40 грн
5+
82.66 грн
16+
65.17 грн
42+
61.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Корпус
TO251
Напряжение сток-исток
620В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
78Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
34нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g