0 0 0
  8. SIHW61N65EF-GE3

Транзисторы с каналом N THT SIHW61N65EF-GE3

 
SIHW61N65EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780628
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 400.34 грн
2+
1 324.63 грн
5+
1 323.85 грн
480+
1 273.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AD(1440118)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
41А(1441535)
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм(1610028)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
371нC(1960078)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
199А(1960076)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHW61N65EF-GE3
VISHAY
Артикул: 780628
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 400.34 грн
2+
1 324.63 грн
5+
1 323.85 грн
480+
1 273.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AD
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
41А
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
520Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
371нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
199А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g