0 0 0
  8. SIJ438DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIJ438DP-T1-GE3

 
SIJ438DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846916
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 80А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
103.24 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
1,75мОм(1479609)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
69,4Вт(1949240)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
182нC(1757706)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIJ438DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846916
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 80А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
103.24 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
1,75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
69,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
182нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g