0 0 0
  8. SIJ470DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIJ470DP-T1-GE3

 
SIJ470DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846947
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 58,8А; Idm: 150А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
50.85 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
58,8А(1986243)
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
56,8Вт(1741949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIJ470DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846947
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 58,8А; Idm: 150А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
50.85 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
58,8А
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
56,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g