0 0 0
  8. SIJ4819DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIJ4819DP-T1-GE3

 
SIJ4819DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842595
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
112.45 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-80В(1536865)
Ток стока
-62А(1986077)
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм(1610034)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
145Вт(1708597)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
69нC(1479387)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-145А(1986078)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIJ4819DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842595
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
112.45 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-80В
Ток стока
-62А
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
145Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
69нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-145А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g