0 0 0
  8. SIJ494DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIJ494DP-T1-GE3

 
SIJ494DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846954
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 36,8А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
84.22 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
36,8А(1905977)
Сопротивление в открытом состоянии
27,2мОм(1633542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
69,4Вт(1949240)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIJ494DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846954
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 36,8А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
84.22 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
36,8А
Сопротивление в открытом состоянии
27,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
69,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g