0 0 0
  8. SIJA52DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIJA52DP-T1-GE3

 
SIJA52DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846998
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 48Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
80.25 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм(1479289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
48Вт(1699155)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
150нC(1479389)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIJA52DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846998
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 48Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
80.25 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
150нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g