0 0 0
  8. SIJH800E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIJH800E-T1-GE3

 
SIJH800E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847098
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
246.16 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
299А(1926635)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм(1479613)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
333Вт(1741825)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,21мкC(1951554)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
350А(1811067)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIJH800E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847098
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
246.16 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
299А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
333Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,21мкC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
350А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g