0 0 0
  8. SIR104DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR104DP-T1-RE3

 
SIR104DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846867
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 79А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
121.51 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
79А(1479436)
Сопротивление в открытом состоянии
7,4мОм(1758581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
100Вт(1701916)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
84нC(1479022)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR104DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846867
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 79А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
121.51 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
79А
Сопротивление в открытом состоянии
7,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
100Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
84нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g