0 0 0
  8. SIR186LDP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR186LDP-T1-RE3

 
SIR186LDP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846865
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 80,3А; Idm: 150А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.71 грн
10+
96.81 грн
25+
80.53 грн
28+
36.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5958 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
80,3А(1986254)
Сопротивление в открытом состоянии
6,3мОм(1479278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
57Вт(1632300)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,165 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR186LDP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846865
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 80,3А; Idm: 150А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.71 грн
10+
96.81 грн
25+
80.53 грн
28+
36.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5958 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
80,3А
Сопротивление в открытом состоянии
6,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
57Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
48нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,165 g