0 0 0
  8. SIR402DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR402DP-T1-GE3

 
SIR402DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847116
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
56.36 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR402DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847116
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
56.36 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
42нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g