0 0 0
  8. SIR422DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR422DP-T1-GE3

 
SIR422DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405751
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 22,2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.55 грн
5+
72.58 грн
18+
55.03 грн
50+
51.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2585 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
6,6мОм(1599494)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
22,2Вт(1811064)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,16 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR422DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405751
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 22,2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.55 грн
5+
72.58 грн
18+
55.03 грн
50+
51.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2585 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
6,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
22,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
48нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,16 g