0 0 0
  8. SIR426DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR426DP-T1-GE3

 
SIR426DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405752
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 30А; Idm: 70А; 26,7Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.18 грн
5+
63.01 грн
20+
49.77 грн
55+
47.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм(1441291)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
26,7Вт(1811065)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR426DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405752
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 30А; Idm: 70А; 26,7Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.18 грн
5+
63.01 грн
20+
49.77 грн
55+
47.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
26,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g