0 0 0
  8. SIR470DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR470DP-T1-GE3

 
SIR470DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947622
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.40 грн
10+
101.70 грн
27+
96.14 грн
1000+
94.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм(1479289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
66,6Вт(1811055)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
155нC(1479498)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR470DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947622
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.40 грн
10+
101.70 грн
27+
96.14 грн
1000+
94.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
155нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g