0 0 0
  8. SIR572DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR572DP-T1-RE3

 
SIR572DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847112
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
92.11 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
59,7А(1986263)
Сопротивление в открытом состоянии
11,5мОм(1599561)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
92,5Вт(1986264)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
54нC(1479413)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
180А(1758616)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR572DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847112
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
92.11 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
59,7А
Сопротивление в открытом состоянии
11,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
92,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
54нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
180А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g