0 0 0
  8. SIR576DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR576DP-T1-RE3

 
SIR576DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847121
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
57.97 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
42,2А(1986265)
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
71,4Вт(1951989)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR576DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847121
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
57.97 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
42,2А
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
71,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
38нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g