0 0 0
  8. SIR606DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR606DP-T1-GE3

 
SIR606DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847037
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 37А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
76.27 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
37А(1479325)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
44,5Вт(1986269)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36,5нC(1775132)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR606DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847037
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 37А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
76.27 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
37А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
44,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g