0 0 0
  8. SIR610DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR610DP-T1-RE3

 
SIR610DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847082
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,4А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
102.44 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
35,4А(1888010)
Сопротивление в открытом состоянии
33,4мОм(1986235)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR610DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847082
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,4А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
102.44 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
35,4А
Сопротивление в открытом состоянии
33,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
38нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g