0 0 0
  8. SIR622DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR622DP-T1-RE3

 
SIR622DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846953
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.44 грн
10+
99.32 грн
14+
74.69 грн
37+
70.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5973 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
51,6А(1986271)
Сопротивление в открытом состоянии
20,4мОм(1950912)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
41нC(1479238)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,151 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR622DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846953
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.44 грн
10+
99.32 грн
14+
74.69 грн
37+
70.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5973 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
51,6А
Сопротивление в открытом состоянии
20,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
41нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,151 g