0 0 0
  8. SIR624DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR624DP-T1-RE3

 
SIR624DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847115
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
51.61 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
18,6А(1986272)
Сопротивление в открытом состоянии
64мОм(1643348)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
52Вт(1507407)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR624DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847115
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
51.61 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
18,6А
Сопротивление в открытом состоянии
64мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
52Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g