0 0 0
  8. SIR626DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR626DP-T1-RE3

 
SIR626DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 077407
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 34,2А; 4Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.06 грн
5+
131.77 грн
11+
100.81 грн
28+
95.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
34,2А(1700730)
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм(1479581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
4Вт(1449365)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
102нC(1700731)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR626DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 077407
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 34,2А; 4Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.06 грн
5+
131.77 грн
11+
100.81 грн
28+
95.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
34,2А
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
102нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g