0 0 0
  8. SIR638DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR638DP-T1-GE3

 
SIR638DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846922
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
98.47 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
1,16мОм(1512602)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
204нC(1739106)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
400А(1714521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR638DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846922
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
98.47 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
1,16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
204нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g