0 0 0
  8. SIR670DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR670DP-T1-GE3

 
SIR670DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846990
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
61.18 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм(1479522)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
56,8Вт(1741949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
63нC(1479469)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR670DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846990
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
61.18 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
56,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
63нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g