0 0 0
  7. SIR770DP-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SIR770DP-T1-GE3

 
SIR770DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846844
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
56.95 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм(1441552)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Рассеиваемая мощность
17,8Вт(1785140)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
35А(1789211)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SIR770DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846844
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
56.95 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Рассеиваемая мощность
17,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
35А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g