0 0 0
  8. SIRA06DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA06DP-T1-GE3

 
SIRA06DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778568
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.43 грн
26+
40.38 грн
70+
38.00 грн
1000+
37.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
3,5мОм(1441303)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
77нC(1479494)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA06DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778568
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.43 грн
26+
40.38 грн
70+
38.00 грн
1000+
37.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
3,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
77нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g