0 0 0
  8. SIRA10BDP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA10BDP-T1-GE3

 
SIRA10BDP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778429
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
64.92 грн
5+
57.81 грн
22+
46.37 грн
58+
44.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
28Вт(1520807)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36,2нC(1960059)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA10BDP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778429
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
64.92 грн
5+
57.81 грн
22+
46.37 грн
58+
44.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
28Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36,2нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g