0 0 0
  8. SIRA14DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA14DP-T1-GE3

 
SIRA14DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778653
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.37 грн
5+
33.80 грн
25+
30.31 грн
42+
23.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2573 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
46А(1479360)
Сопротивление в открытом состоянии
8,5мОм(1479226)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
29нC(1479212)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,149 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA14DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778653
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 46А; Idm: 130А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.37 грн
5+
33.80 грн
25+
30.31 грн
42+
23.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2573 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
46А
Сопротивление в открытом состоянии
8,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
29нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,149 g