0 0 0
  8. SIRA18ADP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA18ADP-T1-GE3

 
SIRA18ADP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778411
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.04 грн
25+
20.78 грн
64+
15.74 грн
174+
14.87 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2983 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
24,5А(1638665)
Сопротивление в открытом состоянии
13,5мОм(1479016)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
9,4Вт(1925251)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21,5нC(1694965)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,167 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA18ADP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778411
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.04 грн
25+
20.78 грн
64+
15.74 грн
174+
14.87 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2983 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
24,5А
Сопротивление в открытом состоянии
13,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
9,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,167 g