0 0 0
  8. SIRA32DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA32DP-T1-RE3

 
SIRA32DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778478
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 148А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
71.08 грн
5+
63.97 грн
20+
51.33 грн
54+
48.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
148А(1744094)
Сопротивление в открытом состоянии
1,83мОм(1960024)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42Вт(1607949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
83нC(1479330)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-12...16В(1979763)
Ток стока в импульсном режиме
500А(1714522)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA32DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778478
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 148А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
71.08 грн
5+
63.97 грн
20+
51.33 грн
54+
48.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
148А
Сопротивление в открытом состоянии
1,83мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
83нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Ток стока в импульсном режиме
500А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g