0 0 0
  8. SIRA36DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA36DP-T1-GE3

 
SIRA36DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778462
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
35.88 грн
25+
32.31 грн
39+
26.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
28,5Вт(1805254)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
250А(1714519)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA36DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778462
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
35.88 грн
25+
32.31 грн
39+
26.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
28,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
250А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g