0 0 0
  8. SIRA50ADP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA50ADP-T1-RE3

 
SIRA50ADP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778369
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 175А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.77 грн
5+
108.85 грн
12+
88.19 грн
32+
83.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
175А(1479554)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6мОм(1479601)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
64Вт(1741900)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
150нC(1479389)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
400А(1714521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA50ADP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778369
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 175А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.77 грн
5+
108.85 грн
12+
88.19 грн
32+
83.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
175А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
64Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
150нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g