0 0 0
  8. SIRA52ADP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA52ADP-T1-RE3

 
SIRA52ADP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778400
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.98 грн
5+
88.42 грн
15+
70.10 грн
39+
66.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
105А(1479505)
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм(1479289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30,7Вт(1910925)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,1мкC(1950532)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA52ADP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778400
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.98 грн
5+
88.42 грн
15+
70.10 грн
39+
66.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
105А
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,1мкC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g