0 0 0
  8. SIRA80DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA80DP-T1-RE3

 
SIRA80DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778501
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 268А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
119.25 грн
5+
107.41 грн
12+
86.08 грн
32+
81.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
268А(1826068)
Сопротивление в открытом состоянии
930мкОм(1960067)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
66,6Вт(1811055)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
188нC(1711211)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
500А(1714522)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA80DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778501
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 268А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
119.25 грн
5+
107.41 грн
12+
86.08 грн
32+
81.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
268А
Сопротивление в открытом состоянии
930мкОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
188нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
500А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g