0 0 0
  8. SIRA90DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA90DP-T1-GE3

 
SIRA90DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778334
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.32 грн
5+
79.38 грн
16+
63.50 грн
44+
60.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
1,15мОм(1609982)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
66,6Вт(1811055)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
153нC(1712989)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
400А(1714521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA90DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778334
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.32 грн
5+
79.38 грн
16+
63.50 грн
44+
60.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
1,15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
153нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g